注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥100.729754
10
¥95.028071
100
¥89.649123
500
¥84.574647
1000
¥79.787405
Microchip Technology APT85GR120B2
- 收藏
- 对比
APT85GR120B2
1610-APT85GR120B2
晶体管 - IGBT - 模块
TO-247-3
大陆
立即发货

IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT85GR120B2详情
Microchip Technology APT85GR120B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
T-MAX™
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
170 A
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Pd - Power Dissipation
962 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.211644 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
170 A
Base Product Number
APT85GR120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率耗散
962
输入类型
Standard
功率 - 最大
962 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 85A
连续集电极电流
170
IGBT类型
NPT
闸门收费
660 nC
集极脉冲电流(Icm)
340 A
Td(开/关)@25°C
43ns/300ns
开关能量
6mJ (on), 3.8mJ (off)
产品
IGBT硅模块
APT85GR120B2拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology






哦! 它是空的。