类别是'category.存储器' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS4576C36GL-25I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | uBGA-144 | YES | 144 | Details | SMD/SMT | 400 MHz | 1.7 V | - 40 C | + 95 C | 有 | 18 | 0.423288 oz | 1.9 V | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | GS4576C36GL-25I | 16777216 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | 生命周期结束 | GSI TECHNOLOGY | 5.09 | BGA | Tray | 3A991.B.2.B | SDRAM - DDR | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 0.8 mm | compliant | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 576 Mbit | 1 | SYNCHRONOUS | 570 mA | 20 ns | 36 bit | 16 M x 36 | 1.2 mm | 36 | 603979776 bit | DDR DRAM | 多库页面突发 | YES | 18.5 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL116K0XNFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 10000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 2014 | FL1-K | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 16M X 1 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | 0.025mA | 8.5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 4MX4 | 4 | 3ms | 24b | 16 Mb | 0.000005A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 256B | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL256P90FFSS80 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tray | GL-P | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 256Mb 32M x 8 | FLASH | Parallel | 90ns | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS4576C18GL-25I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | uBGA-144 | YES | 144 | 0.423288 oz | 18 | 有 | + 95 C | - 40 C | 1.7 V | 400 MHz | SMD/SMT | Details | 1.9 V | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | GS4576C18GL-25I | 33554432 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | 生命周期结束 | GSI TECHNOLOGY | 5.09 | BGA | Tray | 3A991.B.2.B | SDRAM - DDR | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 0.8 mm | compliant | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 576 Mbit | 1 | SYNCHRONOUS | 500 mA | 20 ns | 18 bit | 32 M x 18 | 1.2 mm | 18 | 603979776 bit | DDR DRAM | 多库页面突发 | YES | 18.5 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL164K0XNFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 11 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | 8-WSON (5x6) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | FL1-K | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | 108MHz | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | 25mA | 25mA | 108MHz | 8.5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 3ms | 24b | 64 Mb | 108MHz | Synchronous | 8b | 256B | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29F400FB55N3E2 | Micron Technology Inc. | 数据表 | 155 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Automotive grade | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 2010 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 30 | M29F400 | 48 | 5V | 5V | 4.5V | 4Mb 512K x 8 256K x 16 | 20mA | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 55ns | 4 Mb | 0.00012A | AEC-Q100 | 55 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 1217 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1061AV33-12ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 1000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | Matte Tin (Sn) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 12GHz | 20 | CY7C1061 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 260mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 12ns | 20b | 16 Mb | 0.05A | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W29N04GVSIAA | Winbond Electronics | 数据表 | 30 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.488, 12.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 25ns | 4294967296 bit | 3.3V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25040AN-10SU-2.7 | Atmel | 数据表 | 10000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS43DR16128C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 20 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Volatile | Commercial grade | 0°C~85°C TC | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.9V | 1.8V | 1.7V | 2Gb 128M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 333MHz | 450ps | DRAM | Parallel | 128MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.03A | 2147483648 bit | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 8mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TH58BVG2S3HTAI0 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | 2688 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48-TSOP I | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Benand™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 4Gb 512M x 8 | 25ns | FLASH | Parallel | 25ns | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL064S70TFI070 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 15 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | 70ns | FLASH | Parallel | 8MX8 | 8 | 60ns | 67108864 bit | 3V | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C12501KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 120 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | not_compliant | CY7C12501 | 165 | 不合格 | 1.8V | 36Mb 1M x 36 | 1 | 750mA | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 36 Mb | 0.32A | COMMON | Synchronous | 36b | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R1LP0108ESA-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | 190 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | yes | Discontinued | 2 (1 Year) | 32 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | R1LP0108E | 32 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 17b | 1 Mb | 0.000002A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 11AA161T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | 28600 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 11AA161 | 8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | SYNCHRONOUS | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1315BV18-250BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 47 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | unknown | 20 | CY7C1315 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 18Mb 512K x 36 | 2 | 830mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 34b | 18 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JR28F064M29EWLA | Micron Technology Inc. | 数据表 | 2900 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | 哑光锡 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | JR28F064 | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 25mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 70ns | 64 Mb | 0.00012A | 75 ns | Asynchronous | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | YES | 1mm | 18.4mm | 12mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY14B256PA-SFXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 589 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 1W | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | CY14*256 | 16 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 40MHz | 9 ns | NVSRAM | SPI | 8b | 32KX8 | 8 | 256 kb | 0.00025A | 8b | 2.667mm | 10.2865mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX25L6455EXCI-10G | Macronix | 数据表 | 20141 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MXSMIO™ | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 24 | 3A991.B.1.A | ALSO CONFIGURABLE AS 64M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 1mm | 未说明 | 24 | R-PBGA-B24 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI | 16MX4 | 4 | 300μs, 5ms | 0.00002A | 67108864 bit | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST49LF016C-33-4C-NHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | SST49 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | SST49LF016C | 3.3V | Parallel, SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | 18mA | 33MHz | 11 ns | FLASH | Parallel | 8b | 10μs | 4b | 16 Mb | Synchronous | 8b | 128B | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST25VF512A-33-4I-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | 8-CSP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | 33MHz | SST25VF512A | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 512Kb 64K x 8 | 10mA | 33MHz | 12 ns | FLASH | SPI | 8b | 20μs | 16b | 512 kb | 33MHz | Synchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M24C32-XDW5TP | STMicroelectronics | 数据表 | 8850 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | Industrial grade | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.6V~5.5V | DUAL | 1 | 0.65mm | M24C32 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 4000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC58NYG1S3HBAI4 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | 58 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 63-VFBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 63 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | BALL | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B63 | 1.95V | 1.7V | 2Gb 256M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | 256MX8 | 8 | 25ns | 2147483648 bit | PARALLEL | 1.8V | 1mm | 11mm | 9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S70GL02GS11FHV020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 15 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 2Gb 128M x 16 | ASYNCHRONOUS | 110ns | FLASH | Parallel | 128MX16 | 16 | 3V | 8 | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS46R16160D-6TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 1553 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 66 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 2.3V~2.7V | DUAL | 1 | 2.5V | 0.65mm | 66 | 不合格 | 2.7V | 2.5V | 2.3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.004A | 268435456 bit | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant |
GS4576C36GL-25I
GSI Technology
分类:Memory
S25FL116K0XNFI013
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
S29GL256P90FFSS80
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
GS4576C18GL-25I
GSI Technology
分类:Memory
S25FL164K0XNFI010
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
分类:Memory
62.254697
CY7C1061AV33-12ZXC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
W29N04GVSIAA
Winbond Electronics
分类:Memory
AT25040AN-10SU-2.7
Atmel
分类:Memory
IS43DR16128C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
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分类:Memory
