0910-60M备选型号: DME375A
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 增益
- 频率转换
- 最高频段
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 频率
- 功率耗散
- 输出功率
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- 无铅
- TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AWIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)Chassis Mount, Screw底座安装55AW55SILICON65V200°C TJBulk2003e0noObsolete1 (Unlimited)2EAR99锡铅HIGH RELIABILITY180WDUALFLAT未说明未说明2R-CDFM-F2不合格SINGLE180WAMPLIFIERNPNNPN65V8A8dB ~ 8.5dB890MHz~1GHz超高频B型符合RoHS标准--------
- Trans GP BJT NPN 55V 30A 3-Pin Case 55AW-1-Chassis Mount, Screw底座安装55AW3SILICON55V200°C TJBulk1997e0noObsolete1 (Unlimited)2EAR99锡铅-875WDUALFLAT--2R-CDFM-F2-SINGLE-AMPLIFIERNPNNPN55V30A6.5dB1.025GHz~1.15GHz-符合RoHS标准22 Weeks1.15GHz875W375W10 @ 300mA 5V4V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MDS800 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 55ST-1 | Trans GP BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1 | 对比 | |
![]() | DME375A | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 55AW | Trans GP BJT NPN 55V 30A 3-Pin Case 55AW-1 | 对比 |



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