Microsemi Corporation 0910-60M
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0910-60M
1619-0910-60M
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55AW
大陆
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TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AW
1最小包装量--
0910-60M详情
Microsemi Corporation 0910-60M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55AW
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
180W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
180W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
8A
增益
8dB ~ 8.5dB
频率转换
890MHz~1GHz
最高频段
超高频B型
RoHS状态
符合RoHS标准
0910-60M拓展信息
















哦! 它是空的。