1015MP备选型号: DNBT8105-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 频率
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 输出功率
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 频率转换
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 集电极-基极电容-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 增益带宽积
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans RF BJT NPN 65V 1A 3-Pin Case 55FW22 WeeksTinChassis Mount, Surface Mount底座安装55FW3SILICON65V200°C TJBulk2003e0noObsolete1 (Unlimited)4EAR9950WRADIALFLAT1.15GHz4O-XRDB-F4SINGLE50W15WAMPLIFIERNPNNPN65V1A20 @ 100mA 5V10dB ~ 11dB1.025GHz~1.15GHz3.5V7.5pF无符合RoHS标准无铅-------------------
- DNBT8105 Series NPN 60 V 600 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-23-315 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON60V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99600mWDUAL鸥翼150MHz3--300mW-SWITCHINGNPNNPN60V1A100 @ 500mA 5V--5V-无ROHS3 Compliant无铅7.994566mg500mVHIGH RELIABILITY60V2601A40DNBT8105Single150MHz100nA500mV @ 100mA, 1A150MHz60V80V1mm2.9mm1.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1834T100 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-89 | 对比 | |
![]() | BCX5316TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | 对比 |
| 2SD1898T100Q | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 80V 1A SOT-89 | 对比 |





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