Microsemi Corporation 1015MP

工厂交货时间

22 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Chassis Mount, Surface Mount

安装类型

底座安装

包装/外壳

55FW

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

50W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

频率

1.15GHz

引脚数量

4

JESD-30代码

O-XRDB-F4

配置

SINGLE

功率耗散

50W

输出功率

15W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA 5V

增益

10dB ~ 11dB

频率转换

1.025GHz~1.15GHz

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

集电极-基极电容-最大值

7.5pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅