ROHM Semiconductor 2SD1834T100

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

2000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD1834

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500μA, 500mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

1A

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅