15C01C-TB-E备选型号: 2SC5232BTE85LF

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 无铅
  • 底架
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CP
    7 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    3
    300
    2012
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    300mW
    3
    300mW
    NPN
    300mV
    700mA
    300 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    300mV @ 10mA, 200mA
    330MHz
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq NPN 0.5A 12V
    -
    -
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    -
    12V
    2014
    Cut Tape (CT)
    125°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    150mW
    NPN
    250mV
    500mA
    500 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    -
    15V
    5V
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    110mV
    Single
    130MHz
    NPN
    80MHz
    12V
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