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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.199374
10
¥3.961673
100
¥3.737427
500
¥3.525871
1000
¥3.326294
ON Semiconductor CPH3216-TL-E
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- 对比
CPH3216-TL-E
1807-CPH3216-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH3216-TL-E详情
ON Semiconductor CPH3216-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
130mV
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
900mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
420MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
190mV @ 10mA, 500mA
最高频率
1MHz
转换频率
420MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH3216-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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