15C01C-TB-E备选型号: CPH3216-TL-E
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CP7 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装33002012Tape & Reel (TR)150°C TJe6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)300mW3300mWNPN300mV700mA300 @ 10mA 2V100nA ICBO300mV @ 10mA, 200mA330MHz20V5VROHS3 Compliant无铅-----------------
- Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH310 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装350V2012Tape & Reel (TR)150°C TJe6yes活跃1 (Unlimited)EAR99-900mW3-NPN50V1A200 @ 100mA 2V100nA ICBO190mV @ 10mA, 500mA-80V5VROHS3 Compliant无铅TinYESSILICON130mV3DUAL鸥翼SingleSWITCHING420MHzNPN1MHz420MHz50V900μm2.9mm1.6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFR94A,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RF Bipolar Transistors Single NPN 5GHz | 对比 |
![]() | MMBT4401-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3 | 对比 |
| CPH3216-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 | 对比 |




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