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首页 全部分类 1SS403,H3F vs BAS21DW-7

1SS403,H3F备选型号: BAS21DW-7

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  • 触点镀层
  • 底架
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  • 质量
  • 二极管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
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  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
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  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 额定功率
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 二极管配置
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    1SS403,H3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
    12 Weeks
    Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-76, SOD-323
    2
    32.998845mg
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    125°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    1SS403
    AEC-Q101
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    1μA @ 200V
    1.2V @ 100mA
    300mA
    125°C Max
    2A
    0.1A
    1.2V
    200V
    100mA
    60 ns
    1μA
    250V
    3pF @ 0V 1MHz
    2A
    200V
    900μm
    1.7mm
    1.25mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BAS21DW-7
    Diodes Incorporated
    DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT363
    19 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -65°C
    8541.10.00.70
    -
    DUAL
    鸥翼
    BAS21DW
    -
    -
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    400mA
    -65°C~150°C
    2.5A
    0.2A
    1.25V
    200V
    200mA
    50 ns
    100nA
    250V
    -
    2.5A
    250V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    5pF
    200mW
    260
    40
    6
    2 Independent
    50 ns
    无
    无铅
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