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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.630479
10
¥0.594792
100
¥0.561124
500
¥0.529362
1000
¥0.499398
Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403,H3F
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- 对比
1SS403,H3F
2541-1SS403,H3F
二极管 - 整流器 - 单
SC-76, SOD-323
大陆
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DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1SS403,H3F详情
Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403,H3F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-76, SOD-323
引脚数
2
质量
32.998845mg
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
1SS403
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 100mA
正向电流
300mA
工作温度 - 结点
125°C Max
最大浪涌电流
2A
输出电流-最大值
0.1A
正向电压
1.2V
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
100mA
反向恢复时间
60 ns
峰值反向电流
1μA
最大重复反向电压(Vrrm)
250V
电容@Vr, F
3pF @ 0V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
2A
反向电压(直流电)
200V
高度
900μm
长度
1.7mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
符合RoHS标准
1SS403,H3F拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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