23LCV512-E/ST备选型号: 23LC512T-I/ST
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- 内存大小
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- 内存格式
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- 工厂交货时间
- 表面安装
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 端口的数量
- 操作模式
- 组织结构
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 筛选水平
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)8-TSSOPNon-Volatile-40°C~125°C TATube2012Obsolete1 (Unlimited)125°C-40°C2.5V~5.5V20MHz23LCV512SPI, Serial5.5V2.5V512Kb 64K x 820MHzNVSRAMSPI - Dual I/O20MHzROHS3 Compliant----------------------------
- IC SRAM 512KBIT 20MHZ 8TSSOP表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)--2.5V~5.5V-23LC512SPI, Serial--512Kb 64K x 820MHzSRAMSPI - Quad I/O-ROHS3 Compliant5 WeeksYESe38Matte Tin (Sn) - annealedDUAL26015V0.65mm40R-PDSO-G8不合格5.5V3/5V2.5V1, (3 LINE)SYNCHRONOUS64KX880.000004A524288 bitTS 16949SEPARATE2.5V4.4mm1.2mm3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 23LC512T-I/ST | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | IC SRAM 512KBIT 20MHZ 8TSSOP | 对比 |
![]() | 23LCV512T-I/ST | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | IC NVSRAM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP | 对比 |
![]() | 23LC512-I/ST | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP | 对比 |



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