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首页 全部分类 23LCV512-E/ST vs 23LCV512T-I/ST

23LCV512-E/ST备选型号: 23LCV512T-I/ST

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  • 最大电源电压
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  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 最高频率
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 操作模式
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 记忆密度
  • 筛选水平
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • Microchip Technology
    23LCV512-E/ST
    Microchip Technology
    SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8-TSSOP
    Non-Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tube
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125°C
    -40°C
    2.5V~5.5V
    20MHz
    23LCV512
    SPI, Serial
    5.5V
    2.5V
    512Kb 64K x 8
    20MHz
    NVSRAM
    SPI - Dual I/O
    20MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    23LCV512T-I/ST
    Microchip Technology
    IC NVSRAM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5V~5.5V
    -
    23LCV512
    SPI, Serial
    -
    -
    512Kb 64K x 8
    20MHz
    NVSRAM
    SPI - Dual I/O
    -
    ROHS3 Compliant
    6 Weeks
    YES
    e3
    8
    Matte Tin (Sn) - annealed
    260
    1
    0.65mm
    40
    R-PDSO-G8
    5.5V
    2.5V
    SYNCHRONOUS
    64KX8
    8
    524288 bit
    TS 16949
    4.4mm
    1.2mm
    3mm
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