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2N2432备选型号: BC556BTA
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
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- 晶体管元件材料
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- 电压
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- 电流
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
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- 转换频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
TRANS NPN 30V 0.1AIN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)12 Weeks通孔通孔TO-206AA, TO-18-3 Metal Can3TO-18 (TO-206AA)100mA-65°C~175°C TJBulk2007活跃1 (Unlimited)200°C-65°C300mW300mWNPN30V100mA80 @ 1mA 5V10nA30V30V无Non-RoHS Compliant-----------------------------
TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-6 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3-65V150°C TJTape & Box (TB)2007活跃1 (Unlimited)--500mW-PNP65V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO-80V无ROHS3 CompliantTin240.007063mgSILICON-250mVe3yes3EAR99-65VBOTTOM-100mA150MHzBC55665VSingle1A500mWSWITCHING150MHzPNP650mV @ 5mA, 100mA150MHz65V5V4.58mm4.58mm3.86mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC557BTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor | 对比 |
| BC556BTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS PNP 65V 0.1A TO-92 | 对比 |
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