ON Semiconductor BC557BTF
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BC557BTF
1807-BC557BTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor
--最小包装量--
BC557BTF详情
ON Semiconductor BC557BTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250mV
Number of Elements
1
hFEMin
110
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
500mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC557
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
150MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC557BTF拓展信息
ON Semiconductor
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