2N3906-G备选型号: BC858C
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- 晶体管元件材料
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- 终止次数
- 端子位置
- JESD-30代码
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- 晶体管应用
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
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- 关断时间-最大值(toff)
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- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-9210 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)SILICON40V-400mV-55°C~150°C TJBag2012活跃1 (Unlimited)3BOTTOMO-PBCY-T3SingleSWITCHINGPNPPNP400mV200mA30 @ 100mA 1V100nA ICBO400mV @ 5mA, 50mA250MHz250MHz-40V-5V300ns70nsROHS3 Compliant---------------
- Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP-Surface Mount, Through Hole表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-40V-150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)---Single--PNP30V100mA420 @ 2mA 5V-650mV @ 5mA, 100mA-150MHz30V5V--Non-RoHS Compliant3SOT-23-3150°C-65°C-30V625mW-100mABC858PNP310mW200MHz30V30V无含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC858C | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | 对比 |
| KSA1175YBU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body | TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S | 对比 |




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