ON Semiconductor BC858C

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

420

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-100mA

基本部件号

BC858

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

310mW

增益带宽积

200MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

最大击穿电压

30V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅