2N3906-G备选型号: FJNS4202RTA
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 极性
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-9210 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)SILICON40V-400mV-55°C~150°C TJBag2012活跃1 (Unlimited)3BOTTOMO-PBCY-T3SingleSWITCHINGPNPPNP400mV200mA30 @ 100mA 1V100nA ICBO400mV @ 5mA, 50mA250MHz250MHz-40V-5V300ns70nsROHS3 Compliant--------------
- TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S-通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 Short Body-50V--Tape & Box (TB)-Obsolete1 (Unlimited)---Single--PNP - Pre-Biased300mV100mA30 @ 5mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA-200MHz--10V--符合RoHS标准TO-92S150°C-55°C-50V300mW-100mAPNP300mW300mW50V10 kOhms-100mA10 kOhms无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC858C | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | 对比 |
| KSA1175YBU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body | TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S | 对比 |




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