2N4905备选型号: 2N5884

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2 Tab) TO-3
    12 Weeks
    通孔
    TO-3
    3
    SILICON
    1
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    87.5W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    PNP
    87.5W
    60V
    5A
    25
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS PNP 80V 25A TO3
    -
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    2
    SILICON
    80V
    2006
    e0
    -
    Obsolete
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    -
    -
    200W
    4V
    25A
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    通孔
    1V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    1 (Unlimited)
    -80V
    240
    not_compliant
    -25A
    30
    2N5884
    2
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    4MHz
    PNP
    PNP
    20 @ 10A 4V
    2mA
    4V @ 6.25A, 25A
    4MHz
    4MHz
    80V
    5V
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    含铅
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