ON Semiconductor 2N5884

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

25A

Number of Elements

1

hFEMin

35

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N5884

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 6.25A, 25A

最高频率

4MHz

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

8.51mm

长度

39.37mm

宽度

26.67mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅