ON Semiconductor 2N6052
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2N6052
1807-2N6052
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-204AA, TO-3
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TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
--最小包装量--
2N6052详情
ON Semiconductor 2N6052重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
安装类型
通孔
底架
通孔
供应商器件包装
TO-204 (TO-3)
Current-Collector (Ic) (Max)
12A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
包装
Tray
操作温度
-65°C~200°C TJ
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
150W
额定电流
-12A
基本部件号
2N6052
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
150W
功率 - 最大
150W
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
3V
最大集电极电流
12A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 6A 3V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 120mA, 12A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
12A
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
2N6052拓展信息
ON Semiconductor
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