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首页 全部分类 2N5010 vs ZTX558

2N5010备选型号: ZTX558

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  • 集电极基极电压(VCBO)
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  • RoHS状态
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  • 包装/外壳
  • 质量
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N5010
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)
    通孔
    3
    1
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    3
    EAR99
    锡铅
    200°C
    -65°C
    8541.29.00.95
    1W
    BOTTOM
    WIRE
    SINGLE
    NPN
    200mA
    TO-5
    500V
    30
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZTX558
    Diodes Incorporated
    TRANS PNP 400V 0.2A E-LINE
    -
    通孔
    3
    400V
    Bulk
    2006
    e3
    yes
    活跃
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    1W
    -
    WIRE
    -
    PNP
    200mA
    -
    400V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    通孔
    E-Line-3
    453.59237mg
    SILICON
    -500mV
    -55°C~200°C TJ
    1 (Unlimited)
    -400V
    260
    -200mA
    50MHz
    40
    ZTX558
    3
    Single
    1W
    50MHz
    PNP
    400V
    100 @ 50mA 10V
    100nA
    500mV @ 6mA, 50mA
    50MHz
    5V
    -200mA
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无铅
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