ON Semiconductor 2N3904TF
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2N3904TF
1807-2N3904TF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2 Amp 3-Pin TO-92 Tape And Reel
--最小包装量--
2N3904TF详情
ON Semiconductor 2N3904TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
200mA
频率
300MHz
基本部件号
2N3904
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大结点温度(Tj)
150°C
关断时间-最大值(toff)
250ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
8.77mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N3904TF拓展信息
ON Semiconductor
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