2N5039备选型号: 2N5240
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- 功率耗散
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 最小直流增益(hFE)
- Trans GP BJT NPN 75V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-3IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)12 Weeks通孔TO-331Bulk1999活跃200°C-65°C140WNPN140W75V20A125V7V无Non-RoHS Compliant----------
- Trans GP BJT NPN 300V 5A 3-Pin(2 Tab) TO-3-12 Weeks通孔TO-331-2007活跃--100WNPN100W300V5A--无Non-RoHS CompliantSILICONe0no2EAR99锡铅BOTTOMPIN/PEGO-MBFM-P220
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX2N6284 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-204AA, TO-3 | Trans Darlington NPN 100V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-3 | 对比 |
![]() | 2N5240 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-3 | Trans GP BJT NPN 300V 5A 3-Pin(2 Tab) TO-3 | 对比 |
![]() | 2N5886 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-3 | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | 对比 |





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