Microsemi Corporation 2N5886
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2N5886
1619-2N5886
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-3
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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
1最小包装量--
2N5886详情
Microsemi Corporation 2N5886重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
已出版
2007
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
JESD-30代码
O-MBFM-P2
极性
NPN
功率耗散
200W
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
25A
最小直流增益(hFE)
20
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2N5886拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
Microsemi
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