2N5550备选型号: 2N5550TA
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 频率
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 辐射硬化
- TRANS NPN 140V 0.6A TO92LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3TO-92-3140V250mV-55°C~150°C TJBulk2006Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C140V625mW600mA2N5550NPNSingle625mW625mW300MHzNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA140V300MHz300MHz160V6VNon-RoHS Compliant含铅---------------
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor EpitaxialACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3-140V250mV150°C TJTape & Box (TB)2007活跃1 (Unlimited)--140V625mW600mA2N5550-Single625mW-300MHzNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA---160V6VROHS3 Compliant无铅6 WeeksTin240mgSILICONe3yes3EAR99BOTTOM300MHzAMPLIFIERNPN100MHz140V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5550TA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 对比 | |
![]() | 2N5550TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 | 对比 |




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