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2N5550TA备选型号: 2N5550TAR
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor EpitaxialACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)6 WeeksTin通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3240mgSILICON140V250mV150°C TJTape & Box (TB)2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99140V625mWBOTTOM600mA300MHz2N5550Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA100MHz140V160V6V无ROHS3 Compliant无铅
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor EpitaxialACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)2 WeeksTin通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3240mgSILICON140V250mV150°C TJTape & Box (TB)2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99140V625mWBOTTOM600mA300MHz2N5550Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA100MHz140V160V6V无ROHS3 Compliant无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5550TAR | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 对比 |
 | 2N5550TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 | 对比 |
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