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首页 全部分类 2N5872 vs 2N3879

2N5872备选型号: 2N3879

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  • 触点镀层
  • 底架
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 最小直流增益（hFE）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    2N5872
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    SILICON
    2007
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    90W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    O-MBFM-P2
    不合格
    PNP
    80V
    7A
    TO-3
    20
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    2N3879
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 75V 7A 3-Pin(2 Tab) TO-66
    12 Weeks
    -
    通孔
    -
    2002
    -
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    -
    35W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    -
    -
    O-MBFM-P2
    -
    NPN
    75V
    7A
    -
    12
    Non-RoHS Compliant
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    3
    1
    200°C
    -65°C
    2
    SINGLE
    COLLECTOR
    40MHz
    120V
    无
  • 添加型号
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