ON Semiconductor BU406

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

7A

Number of Elements

1

hFEMin

12

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

60W

额定电流

7A

频率

10MHz

基本部件号

BU406

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

60W

功率 - 最大

60W

增益带宽积

6MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

7A

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200V

最高频率

10MHz

最大击穿电压

200V

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

15.38mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅