2N5883备选型号: 2N6436

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 最小直流增益(hFE)
  • RoHS状态
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    SILICON
    Bulk
    2005
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    O-MBFM-P2
    不合格
    PNP
    60V
    25A
    TO-3
    20
    Non-RoHS Compliant
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    O-MBFM-P2
    不合格
    PNP
    80V
    25A
    TO-3
    30
    Non-RoHS Compliant
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