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2N5885备选型号: 2N5886

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  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 包装/外壳
  • 极性
  • 功率耗散
  • Microsemi Corporation
    2N5885
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor
    8 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    2
    O-MBFM-P2
    NPN
    60V
    25A
    20
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    2N5886
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    -
    2007
    -
    -
    活跃
    2
    EAR99
    -
    -
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    -
    O-MBFM-P2
    -
    80V
    25A
    20
    无
    Non-RoHS Compliant
    TO-3
    1
    NPN
    200W
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