2N5886备选型号: JANTX2N6284

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  • JESD-30代码
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    通孔
    TO-3
    3
    SILICON
    1
    2007
    活跃
    2
    EAR99
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    NPN
    200W
    80V
    25A
    20
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans Darlington NPN 100V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-3
    20 Weeks
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    -
    SILICON
    1
    2002
    活跃
    2
    EAR99
    -
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    NPN
    -
    100V
    20A
    -
    Non-RoHS Compliant
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    Lead, Tin
    通孔
    3V
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/504
    e0
    no
    1 (Unlimited)
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    2
    Qualified
    Single
    COLLECTOR
    175W
    SWITCHING
    NPN - Darlington
    1250 @ 10A 3V
    1mA
    3V @ 200mA, 20A
    4MHz
    100V
    7V
    含铅
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