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首页 全部分类 2N6339 vs 2N5886

2N6339备选型号: 2N5886

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最小直流增益（hFE）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    2N6339
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 120V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-3
    8 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    TO-3
    1
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    2
    O-MBFM-P2
    不合格
    NPN
    Single
    200W
    120V
    30A
    40MHz
    30
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    2N5886
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    -
    通孔
    TO-3
    1
    2007
    -
    -
    活跃
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    -
    -
    -
    O-MBFM-P2
    -
    NPN
    -
    200W
    80V
    25A
    -
    20
    Non-RoHS Compliant
    3
    SILICON
    无
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