2N7000-D26Z备选型号: BS270
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- ON SEMICONDUCTOR - 2N7000-D26Z - MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, TO-9211 Weeks通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)NOSILICON200mA Ta3V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011yesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)3BOTTOM未说明未说明2N7000O-PBCY-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING5 Ω @ 500mA, 10V50pF @ 25V60V±20V0.2A5Ohm60V5 pFROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V11 Weeks通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)-SILICON400mA Ta2.5V @ 250μA-55°C~150°C TJBulk1998yes活跃1 (Unlimited)3BOTTOM--BS270---增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 500mA, 10V50pF @ 25V-±20V0.4A--5 pFROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin通孔3200mge3EAR992MOhmTin (Sn)60V400mASingle630mW400mA2.1V20V60V2.1 V4.7mm3.93mm4.7mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BS270 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V | 对比 |




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