ON Semiconductor BS270
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BS270
1807-BS270
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
--最小包装量--
BS270详情
ON Semiconductor BS270重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
200mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
625mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1998
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
2MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
端子位置
BOTTOM
额定电流
400mA
基本部件号
BS270
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
630mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
400mA
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.4A
漏源击穿电压
60V
栅源电压
2.1 V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
4.7mm
长度
4.7mm
宽度
3.93mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BS270拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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