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首页 全部分类 2N7000-G vs VN10LP

2N7000-G备选型号: VN10LP

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 螺纹距离
  • Microchip Technology
    2N7000-G
    Microchip Technology
    MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE,60V,5 Ohm3 TO-92BAG
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    200mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    高输入阻抗
    60V
    BOTTOM
    200mA
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5 Ω @ 500mA, 10V
    3V @ 1mA
    60pF @ 25V
    ±30V
    200mA
    800mV
    30V
    0.2A
    5Ohm
    60V
    5 pF
    5.334mm
    5.21mm
    4.19mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    VN10LP
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
    17 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    270mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    60V
    BOTTOM
    270mA
    1
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    -
    N-Channel
    -
    5 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    60pF @ 25V
    ±20V
    270mA
    2.5V
    20V
    0.27A
    -
    60V
    5 pF
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    5Ohm
    Matte Tin (Sn)
    WIRE
    260
    40
    3
    1.27mm
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