Diodes Incorporated BS170P

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

270mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

5Ohm

电压 - 额定直流

60V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

270mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

270mA

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.27A

漏源击穿电压

60V

栅源电压

3 V

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅