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首页 全部分类 2N7000BU vs 2N7000

2N7000BU备选型号: 2N7000

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  • 场效应管类型
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
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  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2N7000BU
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
    11 Weeks
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    通孔
    通孔
    Copper, Silver, Tin
    3
    10 ns
    2013
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    5Ohm
    Tin (Sn)
    60V
    200mA
    2N7000
    Single
    400mW
    10 ns
    N-Channel
    5 Ω @ 500mA, 10V
    3V @ 1mA
    50pF @ 25V
    10ns
    ±20V
    10 ns
    200mA
    3.9V
    30V
    0.2A
    60V
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N7000
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
    11 Weeks
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    通孔
    通孔
    Copper, Silver, Tin
    3
    200mA Ta
    2011
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    5Ohm
    -
    60V
    200mA
    2N7000
    Single
    400mW
    -
    N-Channel
    5Ohm @ 500mA, 10V
    3V @ 1mA
    50pF @ 25V
    -
    ±20V
    -
    200mA
    2.1V
    20V
    -
    60V
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    TO-92-3
    201mg
    150°C
    -55°C
    1
    60V
    40pF
    1.2Ohm
    5 Ω
    2.1 V
    5.2mm
    4.8mm
    4.19mm
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
2N7000 2N7000 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V 对比