ON Semiconductor 2N7000

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

5Ohm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

额定电流

200mA

基本部件号

2N7000

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

400mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

输入电容

40pF

漏源电阻

1.2Ohm

最大rds

5 Ω

栅源电压

2.1 V

高度

5.2mm

长度

4.8mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅