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2N7002H-7备选型号: 2N7002H-13
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-314 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON2N7002H-7170mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealedHIGH RELIABILITY8541.21.00.95DUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V3V @ 250μA26pF @ 25V0.35nC @ 4.5V60V±20V170mA0.17A60VROHS3 Compliant- MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT2314 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON-170mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealedHIGH RELIABILITY8541.21.00.95DUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V3V @ 250μA26pF @ 25V0.35nC @ 4.5V60V±20V170mA0.17A60VROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SN7002NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| 2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 | 对比 |
| 2N7002H-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 | 对比 |
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