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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.52264
10
¥1.436456
100
¥1.355146
500
¥1.278438
1000
¥1.206071
Infineon Technologies SN7002NH6433XTMA1
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- 对比
SN7002NH6433XTMA1
1211-SN7002NH6433XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SN7002NH6433XTMA1详情
Infineon Technologies SN7002NH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
5.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS™
已出版
2003
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
2.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 26μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 10V
上升时间
3.2ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.6 ns
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏极-源极导通最大电阻
5Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
4.2 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SN7002NH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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