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首页 全部分类 2N7002PS,115 vs PMF3800SN,115

2N7002PS,115备选型号: PMF3800SN,115

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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
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  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    2N7002PS,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    1.6Ohm
    逻辑电平兼容
    420mW
    鸥翼
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    320mW
    3 ns
    420mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.4V @ 250μA
    50pF @ 10V
    0.8nC @ 4.5V
    4ns
    4 ns
    320mA
    20V
    60V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF3800SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
    -
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    -
    260mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    3.3V @ 1mA
    40pF @ 10V
    0.85nC @ 10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    60V
    ±15V
    2013-06-14 00:00:00
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PMF3800SN,115 PMF3800SN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-70, SOT-323 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 对比