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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.907889
10
¥0.856499
100
¥0.808019
500
¥0.762282
1000
¥0.719133
Nexperia USA Inc. 2N7002PS,115
- 收藏
- 对比
2N7002PS,115
1729-2N7002PS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N7002PS,115详情
Nexperia USA Inc. 2N7002PS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
电阻
1.6Ohm
附加功能
逻辑电平兼容
最大功率耗散
420mW
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
320mW
接通延迟时间
3 ns
功率 - 最大
420mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 4.5V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
320mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002PS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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