2N7002PS,115
2N7002PS,115

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Nexperia USA Inc. 2N7002PS,115

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型号

2N7002PS,115

utmel 编号

1729-2N7002PS,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

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2N7002PS,115
2N7002PS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

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2N7002PS,115详情

Nexperia USA Inc. 2N7002PS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 电阻

    1.6Ohm

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 最大功率耗散

    420mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    320mW

  • 接通延迟时间

    3 ns

  • 功率 - 最大

    420mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.6 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    320mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    60V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Nexperia USA Inc. & 2N7002PS,115相似的参数规格。

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2N7002PS,115拓展信息

PMDXB600UNEZ
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NX1029X,115
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BUK9K6R8-40EX
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PMCXB900UEZ
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NX3020NAKS,115
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BUK9K25-40EX
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NX7002AKS,115
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