2N7334备选型号: FTCO3V455A1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 功能数量
- 频率
- 最大输出电流
- 最大额定电流
- 模拟 IC - 其他类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB通孔通孔14-DIP (0.300, 7.62mm)SILICON4-55°C~150°C TJBulk1997活跃1 (Unlimited)14EAR99HIGH RELIABILITY8541.29.00.751.4WDUAL未说明未说明14MIL-19500/597R-CDIP-T14QualifiedSEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.4W4 N-ChannelSWITCHING700m Ω @ 600mA, 10V4V @ 250μA60nC @ 10V100V1AMO-036AB1A0.8Ohm4A100V75 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardNon-RoHS Compliant--------------------
- MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE通孔通孔19-PowerDIP Module--175°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)19EAR99-8541.29.00.95115WDUAL---------6 N-Channel (3-Phase Bridge)-1.66m Ω @ 80A, 10V--40V150A-------逻辑电平门ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks1928.206gSPM®e3yesTin (Sn)120kHz150A150A交流电机控制器20V40V5.2mm43.8mm29.2mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ULN2003A | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | STMICROELECTRONICS - ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP | 对比 |
![]() | ULN2065B | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-PowerDIP (0.300, 7.62mm) | STMICROELECTRONICS ULN2065B Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIP | 对比 |
| FTCO3V455A1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 19-PowerDIP Module | MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE | 对比 |



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