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首页 全部分类 2N7334 vs ULN2003A

2N7334备选型号: ULN2003A

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 输出电压
  • 极性
  • 通道数量
  • 输出电流
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N7334
    Microsemi Corporation
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    SILICON
    4
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    8541.29.00.75
    1.4W
    DUAL
    未说明
    未说明
    14
    MIL-19500/597
    R-CDIP-T14
    Qualified
    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.4W
    4 N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 600mA, 10V
    4V @ 250μA
    60nC @ 10V
    100V
    1A
    MO-036AB
    1A
    0.8Ohm
    4A
    100V
    75 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    ULN2003A
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS - ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    SILICON
    50V
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    逻辑电平兼容
    -
    2.25W
    DUAL
    -
    -
    16
    -
    -
    -
    COMPLEX
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    Gold
    16
    1.627801g
    1.1V
    e3
    Matte Tin (Sn)
    50V
    500mA
    ULN2003
    50V
    NPN
    7
    500mA
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    50μA
    1.6V @ 500μA, 350mA
    1.6 V
    4.59mm
    20mm
    7.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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