2SA1162-O,LF备选型号: 2SA1162-GR,LF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 质量
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-350V-300mV80MHz125°C TJTape & Reel (TR)2014yes活跃1 (Unlimited)unknown150mWPNP300mV150mA200 @ 2mA 6V100nA ICBO300mV @ 10mA, 100mA50V-50V-5V-150mA符合RoHS标准----
- TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-350V100mV80MHz125°C TJTape & Reel (TR)2011-活跃1 (Unlimited)unknown150mWPNP50V150mA200 @ 2mA 6V100nA ICBO300mV @ 10mA, 100mA50V50V5V-符合RoHS标准7.994566mgEAR992SA1162Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 | |
![]() | 2SA1162YT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | 对比 |
| 2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 |



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