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2SA1418T-TD-E备选型号: EMZ1T2R
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- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V4 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AATape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)PNPROHS3 Compliant------------------------------------
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666Tape & Reel (TR)2000活跃1 (Unlimited)NPN, PNPROHS3 Compliant6SILICON50V150°C TJyes6EAR9950V150mWFLAT260150mA180MHz10*MZ16150mA50VDual150mW180MHzNPN, PNP50V150mA120 @ 1mA 6V100nA ICBO400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA180MHz50V180MHz 140MHz60V-6V-150mA无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 |
 | BC807-40-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC807-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE | 对比 |
| EMZ1T2R | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | SOT-563, SOT-666 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT | 对比 |
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