Diodes Incorporated BC807-40-7-F
- 收藏
- 对比
BC807-40-7-F
671-BC807-40-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

DIODES INC. - BC807-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE
--最小包装量--
BC807-40-7-F详情
Diodes Incorporated BC807-40-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-700mV
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
hFEMin
250
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
310mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC807
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
310mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-45V
最大集电极电流
-500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC807-40-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated









哦! 它是空的。