2SA1952TLQ备选型号: 2SB1181TLQ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 关断时间-最大值(toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 达到SVHC
- TRANS PNP 60V 5A SOT-42820 WeeksCopper, Tin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON60V-300mV150°C TJTape & Reel (TR)2000e2yes不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin/Copper (Sn98Cu2)8541.29.00.75-60V1W鸥翼260-5A102SA19523R-PSSO-G2SingleSWITCHING80MHzPNPPNP60V5A120 @ 1A 2V10μA ICBO500mV @ 200mA, 4A80MHz80MHz60V100V-5V-5A1800ns2.3mm6.5mm5.5mm无ROHS3 Compliant无铅----
- TRANS PNP 80V 1A SOT-42817 WeeksCopper, Tin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON80V-400mV150°C TJTape & Reel (TR)2009e2yes不用于新设计1 (Unlimited)2-锡铜--80V10W鸥翼260-1A102SB11813R-PSSO-G2SingleSWITCHING100MHzPNPPNP400mV1A120 @ 100mA 3V1μA ICBO400mV @ 50mA, 500mA--80V-80V-5V-1A----无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT1W10W无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KSH210TM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 对比 | |
| 2SB1181TLQ | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 80V 1A SOT-428 | 对比 | |
![]() | 2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2 Tab) New PW-Mold T/R | 对比 |



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